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GeneSiC Semiconductor DB105G

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
part number has RoHS
Hersteller Modell :DB105G
Dasenic Modell :DB105G-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 0.7920$ 7.92
5000+$ 0.4400$ 2200
10000+$ 0.4200$ 4200
20000+$ 0.4000$ 8000
Auf Lager: 771
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.792
Gesamt :$ 0.79
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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DB105G Informationen

  • GeneSiC Semiconductor DB105G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
  • テクノロジー:Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DB
  • ダイオードタイプ:Single Phase
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):600 V
  • 電流 - 平均整流 ( Io):1 A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 1 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DB105G bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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