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GeneSiC Semiconductor FST120100

Name: FST120100
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5768697
Price: 151.46 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE MODULE 100V 120A TO249AB

Hersteller Modell :FST120100

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :FST120100-DS

Dokument :

FST120100 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE MODULE 100V 120A TO249AB

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
20+	$ 151.4600	$ 3029.2
40+	$ 144.4800	$ 5779.2
80+	$ 138.1000	$ 11048

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Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong

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FST120100 Informationen

GeneSiC Semiconductor FST120100 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:TO-249AB
Gerätepaket des Lieferanten:TO-249AB
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Schottky
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:840 mV @ 120 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:2 mA @ 20 V
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):100 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):120A (DC)
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.10.0080
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
FST120100,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

FST120100 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.