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  • GeneSiC Semiconductor FST8380M

    DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :FST8380M
  • Hersteller :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Modell :FST8380M-DS
  • Dokument :pdf download FST8380M Dokument
  • Beschreibung : DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
  • Verpackung :-
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GeneSiC Semiconductor FST8380M technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:D61-3M
サプライヤーデバイスパッケージ:D61-3M
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Schottky
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:840 mV @ 80 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1.5 mA @ 20 V
ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):80 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):80A (DC)
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor FST8380M
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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