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GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Hersteller Modell :G2R1000MT17D
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :G2R1000MT17D-DS
Dokument :
G2R1000MT17D Dokument
G2R1000MT17D DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 30+ | $ 3.3300 | $ 99.9 |
| 3000+ | $ 3.2967 | $ 9890.1 |
| 6000+ | $ 3.2643 | $ 19585.8 |
| 9000+ | $ 3.2319 | $ 29087.1 |
| 12000+ | $ 3.1995 | $ 38394 |
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G2R1000MT17D Informationen
GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力（最大）:53W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 2mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:139 pF @ 1000 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
- Vgs (最大):+20V, -5V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G2R1000MT17D bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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