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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Hersteller Modell :GA10SICP12-263
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GA10SICP12-263-DS
Dokument :
GA10SICP12-263 Dokument
GA10SICP12-263 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 125+ | $ 160.0000 | $ 20000 |
| 250+ | $ 81.7200 | $ 20430 |
| 375+ | $ 55.6200 | $ 20857.5 |
| 500+ | $ 54.5200 | $ 27260 |
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GA10SICP12-263 Informationen
GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- 消費電力（最大）:170W (Tc)
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:25A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:100mOhm @ 10A
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1403 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GA10SICP12-263 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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