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GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Hersteller Modell :GA20JT12-263
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GA20JT12-263-DS
Dokument :
GA20JT12-263 Dokument
GA20JT12-263 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 176.1120 | $ 1761.12 |
| 313+ | $ 146.7600 | $ 45935.88 |
| 625+ | $ 75.0800 | $ 46925 |
| 938+ | $ 51.0800 | $ 47913.04 |
| 1250+ | $ 50.0600 | $ 62575 |
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GA20JT12-263 Informationen
GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- 消費電力（最大）:282W (Tc)
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:45A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 20A
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3091 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GA20JT12-263 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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