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GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
part number has RoHS
Hersteller Modell :GB10SLT12-252
Dasenic Modell :GB10SLT12-252-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 18.5625$ 185.63
2500+$ 10.3125$ 25781.25
Auf Lager: 2196
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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GB10SLT12-252 Informationen

  • GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Produktstatus:Obsolete
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-252
  • Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):10A
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:2 V @ 10 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:250 µA @ 1200 V
  • Kapazität @ Vr, F:520pF @ 1V, 1MHz
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1200 V
  • Sperrverzögerungszeit (trr):0 ns
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:Vendor is not defined
  • China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GB10SLT12-252 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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