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GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
Hersteller Modell :GB50SLT12-247
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GB50SLT12-247-DS
Dokument :
GB50SLT12-247 Dokument
GB50SLT12-247 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 76.9860 | $ 76.99 |
| 5+ | $ 67.6200 | $ 338.1 |
| 30+ | $ 58.4120 | $ 1752.36 |
| 60+ | $ 55.0580 | $ 3303.48 |
| 120+ | $ 54.2320 | $ 6507.84 |
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GB50SLT12-247 Informationen
GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Produktstatus:Not For New Designs
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-247-2
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-2
- Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):50A
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.8 V @ 50 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:1 mA @ 1200 V
- Kapazität @ Vr, F:2940pF @ 1V, 1MHz
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1200 V
- Sperrverzögerungszeit (trr):0 ns
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- REACH-Status:Vendor is not defined
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GB50SLT12-247 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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