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GeneSiC Semiconductor GBJ35K

Name: GBJ35K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-9711106
Price: 5.31 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

800V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE

Hersteller Modell :GBJ35K

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :GBJ35K-DS

Dokument :

GBJ35K Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : 800V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE

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1000+	$ 3.5400	$ 3540
2000+	$ 3.3800	$ 6760
4000+	$ 3.2200	$ 12880

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GBJ35K Informationen

GeneSiC Semiconductor GBJ35K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:GBJ
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:800 V
電流 - 平均整流 ( Io):35 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 17.5 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 800 V
基本製品番号:GBJ35
パッケージ:Bulk
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
GBJ35K,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

GBJ35K bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。