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GeneSiC Semiconductor GBJ6D

200V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
part number has RoHS
Hersteller Modell :GBJ6D
Dasenic Modell :GBJ6D-DS
Dokument :pdf download GBJ6D Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 200V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 2.1600$ 21.6
1000+$ 1.4400$ 1440
2000+$ 1.3800$ 2760
4000+$ 1.3200$ 5280
Auf Lager: 603
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 2.16
Gesamt :$ 2.16
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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GBJ6D Informationen

  • GeneSiC Semiconductor GBJ6D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ
  • テクノロジー:Standard
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • ダイオードタイプ:Single Phase
  • 電圧ピーク逆(最大):200 V
  • 逆方向電流漏れ@ Vr:5 µA @ 200 V
  • 順方向電圧( Vf)(最大)@ If:1.05 V @ 3 A
  • 平均電流整流( Io):6 A
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ6D bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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