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GeneSiC Semiconductor GBJ6K
800V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
- Hersteller Modell :GBJ6K
- Hersteller :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Modell :GBJ6K-DS
- Dokument :
GBJ6K Dokument
- Beschreibung : 800V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
- Verpackung :-
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10 + | $ 1.9020 | $ 19.02 |
2000 + | $ 1.2680 | $ 2536.00 |
2600 + | $ 1.1100 | $ 2886.00 |
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GeneSiC Semiconductor GBJ6K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:GBJ
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧(最大):800 V
電流 - 平均整流 ( Io):6 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.05 V @ 3 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 800 V
基本製品番号:GBJ6
パッケージ:Bulk
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GBJ6K
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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