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GeneSiC Semiconductor GKN130/18
Hersteller Modell :GKN130/18
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GKN130/18-DS
Dokument : GKN130/18 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
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GKN130/18 Informationen
GeneSiC Semiconductor GKN130/18 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Produktstatus:Active
- Montagetyp:Chassis, Stud Mount
- Verpackung/ Koffer:DO-205AA, DO-8, Stud
- Gerätepaket des Lieferanten:DO-205AA (DO-8)
- Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Diodentyp:Standard
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):165A
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.5 V @ 60 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:22 mA @ 1800 V
- Kapazität @ Vr, F:-
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1800 V
- Sperrverzögerungszeit (trr):-
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GKN130/18 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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