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GeneSiC Semiconductor MBR20020CT

DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBR20020CT
Dasenic Modell :MBR20020CT-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
20+$ 193.8600$ 3877.2
40+$ 184.9000$ 7396
80+$ 176.7600$ 14140.8
Auf Lager: 1022
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 193.86
Gesamt :$ 193.86
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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MBR20020CT Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBR20020CT technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:Twin Tower
  • Gerätepaket des Lieferanten:Twin Tower
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:650 mV @ 100 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 mA @ 20 V
  • Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):20 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):200A (DC)
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR20020CT bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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