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  • GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180

    DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :MBR2X060A180
  • Hersteller :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Modell :MBR2X060A180-DS
  • Dokument :pdf download MBR2X060A180 Dokument
  • Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
  • Verpackung :-
  • Menge :
    Einzelpreis : $ 101.06Gesamt : $ 101.06
  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
  • Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
  • Waren ausliefern :
    dhlupsfedex
  • Zahlung :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Auf Lager: 775
( MOQ : 1 PCS )
PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
MengeEinzelpreisGesamt
26 +$ 101.0600$ 2627.56
52 +$ 96.4000$ 5012.80
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GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten:SOT-227
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Schottky
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:920 mV @ 60 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:3 mA @ 180 V
Diodenkonfiguration:2 Independent
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):180 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):60A
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-40°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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