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GeneSiC Semiconductor MBR300150CT

Name: MBR300150CT
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5762149
Price: 203.24 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER

Hersteller Modell :MBR300150CT

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :MBR300150CT-DS

Dokument :

MBR300150CT Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
20+	$ 203.2400	$ 4064.8
40+	$ 193.8600	$ 7754.4
80+	$ 185.3000	$ 14824

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MBR300150CT Informationen

GeneSiC Semiconductor MBR300150CT technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:Twin Tower
Gerätepaket des Lieferanten:Twin Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Schottky
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:880 mV @ 150 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:3 mA @ 150 V
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):150 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):150A
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-40°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.10.0080
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MBR300150CT,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MBR300150CT bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.