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GeneSiC Semiconductor MBR30035CT

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBR30035CT
Dasenic Modell :MBR30035CT-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
20+$ 203.2400$ 4064.8
40+$ 193.8600$ 7754.4
80+$ 185.3000$ 14824
Auf Lager: 2075
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 203.24
Gesamt :$ 203.24
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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MBR30035CT Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBR30035CT technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Twin Tower
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Schottky
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:650 mV @ 150 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:8 mA @ 20 V
  • ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):35 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):150A
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR30035CT bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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