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GeneSiC Semiconductor MBR40060CT

Name: MBR40060CT
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5762258
Price: 212.52 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER

Hersteller Modell :MBR40060CT

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :MBR40060CT-DS

Dokument :

MBR40060CT Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
20+	$ 212.5200	$ 4250.4
40+	$ 202.7000	$ 8108
80+	$ 193.7600	$ 15500.8

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Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden

Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong

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MBR40060CT Informationen

GeneSiC Semiconductor MBR40060CT technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:Twin Tower
Gerätepaket des Lieferanten:Twin Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Schottky
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:800 mV @ 200 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 mA @ 20 V
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):60 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):200A
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.10.0080
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MBR40060CT,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MBR40060CT bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.