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GeneSiC Semiconductor MBR40080CTR

DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBR40080CTR
Dasenic Modell :MBR40080CTR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
20+$ 212.5200$ 4250.4
40+$ 202.7000$ 8108
80+$ 193.7600$ 15500.8
Auf Lager: 2228
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 212.52
Gesamt :$ 212.52
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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MBR40080CTR Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBR40080CTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Twin Tower
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Schottky
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:840 mV @ 200 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 mA @ 20 V
  • ダイオード構成:1 Pair Common Anode
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):80 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR40080CTR bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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