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GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR

DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBR500200CTR
Dasenic Modell :MBR500200CTR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
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Auf Lager: 2920
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Waren ausliefern :
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MBR500200CTR Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Obsolete
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:Twin Tower
  • Gerätepaket des Lieferanten:Twin Tower
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:920 mV @ 250 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:3 mA @ 200 V
  • Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):200 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):250A
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:Vendor is not defined
  • China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBR500200CTR bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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