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GeneSiC Semiconductor MBR8060

DIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBR8060
Dasenic Modell :MBR8060-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
100+$ 45.5400$ 4554
200+$ 43.4400$ 8688
400+$ 41.5200$ 16608
Auf Lager: 1002
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 45.54
Gesamt :$ 45.54
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

MBR8060 Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBR8060 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis, Stud Mount
  • Verpackung/ Koffer:DO-203AB, DO-5, Stud
  • Gerätepaket des Lieferanten:DO-5
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Schottky
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):80A
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:750 mV @ 80 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 mA @ 20 V
  • Kapazität @ Vr, F:-
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):60 V
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR8060 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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