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GeneSiC Semiconductor MBRT40035RL

DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBRT40035RL
Dasenic Modell :MBRT40035RL-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
25+$ 88.0000$ 2200
Auf Lager: 1822
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Gesamt :$ 88.00
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MBRT40035RL Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBRT40035RL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Obsolete
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:Three Tower
  • Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:600 mV @ 200 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:3 mA @ 35 V
  • Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):35 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):200A
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:Vendor is not defined
  • China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBRT40035RL bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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