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GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A)D

Name: MSRT200160(A)D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5761932
Price: 528.5 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Hersteller Modell :MSRT200160(A)D

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :MSRT200160(A)D-DS

Dokument :

MSRT200160(A)D Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
20+	$ 528.5000	$ 10570
40+	$ 278.9200	$ 11156.8
60+	$ 191.8200	$ 11509.2
80+	$ 187.9800	$ 15038.4

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MSRT200160(A)D Informationen

GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A)D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:Three Tower
Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Standard
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 200 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 1600 V
Diodenkonfiguration:1 Pair Series Connection
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1600 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):200A
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MSRT200160(A)D,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MSRT200160(A)D bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.