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GeneSiC Semiconductor MURT10060R

Name: MURT10060R
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5762065
Price: 200.12 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller Modell :MURT10060R

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :MURT10060R-DS

Dokument :

MURT10060R Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
20+	$ 200.1200	$ 4002.4
40+	$ 190.8800	$ 7635.2
80+	$ 182.4600	$ 14596.8

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MURT10060R Informationen

GeneSiC Semiconductor MURT10060R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 100 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:25 µA @ 50 V
ダイオード構成:1 Pair Common Anode
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):50A
逆回復時間 (trr):75 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MURT10060R,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MURT10060R bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。