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GeneSiC Semiconductor S400Y

DIODE GEN PURP 1.6KV 400A DO205
part number has RoHS
Hersteller Modell :S400Y
Dasenic Modell :S400Y-DS
Dokument :pdf download S400Y Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.6KV 400A DO205
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
20+$ 198.6200$ 3972.4
40+$ 189.4400$ 7577.6
80+$ 181.0800$ 14486.4
Auf Lager: 2021
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 198.62
Gesamt :$ 198.62
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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S400Y Informationen

  • GeneSiC Semiconductor S400Y technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis, Stud Mount
  • Verpackung/ Koffer:DO-205AB, DO-9, Stud
  • Gerätepaket des Lieferanten:DO-205AB, DO-9
  • Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Standard
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):400A
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.2 V @ 400 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 50 V
  • Kapazität @ Vr, F:-
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1600 V
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-60°C ~ 200°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
S400Y bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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