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GeneSiC Semiconductor S400Y
Hersteller Modell :S400Y
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :S400Y-DS
Dokument : S400Y Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.6KV 400A DO205
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S400Y Informationen
GeneSiC Semiconductor S400Y technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Produktstatus:Active
- Montagetyp:Chassis, Stud Mount
- Verpackung/ Koffer:DO-205AB, DO-9, Stud
- Gerätepaket des Lieferanten:DO-205AB, DO-9
- Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Diodentyp:Standard
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):400A
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.2 V @ 400 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 50 V
- Kapazität @ Vr, F:-
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1600 V
- Sperrverzögerungszeit (trr):-
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-60°C ~ 200°C
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
S400Y bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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