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GeneSiC Semiconductor S6JR

DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
part number has RoHS
Hersteller Modell :S6JR
Dasenic Modell :S6JR-DS
Dokument :pdf download S6JR Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
125+$ 8.3200$ 1040
250+$ 7.9400$ 1985
500+$ 7.5800$ 3790
Auf Lager: 1214
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 8.32
Gesamt :$ 8.32
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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S6JR Informationen

  • GeneSiC Semiconductor S6JR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis, Stud Mount
  • Verpackung/ Koffer:DO-203AA, DO-4, Stud
  • Gerätepaket des Lieferanten:DO-4
  • Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Standard, Reverse Polarity
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):6A
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 6 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 100 V
  • Kapazität @ Vr, F:-
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):600 V
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-65°C ~ 175°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
S6JR bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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