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GeneSiC Semiconductor S85YR
DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
Hersteller Modell :S85YR
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :S85YR-DS
Dokument :
S85YR Dokument
S85YR DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 13.8780 | $ 13.88 |
| 10+ | $ 11.6856 | $ 116.86 |
| 25+ | $ 13.8780 | $ 346.95 |
| 100+ | $ 9.8415 | $ 984.15 |
| 250+ | $ 9.1908 | $ 2297.7 |
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S85YR Informationen
GeneSiC Semiconductor S85YR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-203AB, DO-5, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-5
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
- 電流 - 平均整流 ( Io):85A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 85 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 100 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1600 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
S85YR bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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