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Infineon Technologies FP35R12KT4B15BOSA1
IGBT MOD 1200V 35A 210W
Hersteller Modell :FP35R12KT4B15BOSA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :FP35R12KT4B15BOSA1-DS
Dokument :
FP35R12KT4B15BOSA1 Dokument
FP35R12KT4B15BOSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MOD 1200V 35A 210W
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 63.5760 | $ 63.58 |
| 25+ | $ 62.3070 | $ 1557.68 |
| 100+ | $ 59.7600 | $ 5976 |
| 500+ | $ 57.2220 | $ 28611 |
| 1000+ | $ 54.0360 | $ 54036 |
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FP35R12KT4B15BOSA1 Informationen
Infineon Technologies FP35R12KT4B15BOSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:210 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):35 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.15V @ 15V, 35A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:2 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FP35R12KT4B15BOSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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