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Integra Technologies IGN1214L500B
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Hersteller Modell :IGN1214L500B
Hersteller :Integra Technologies
Dasenic Modell :IGN1214L500B-DS
Dokument :
IGN1214L500B Dokument
IGN1214L500B DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
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IGN1214L500B Informationen
Integra Technologies IGN1214L500B technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Produktstatus:Active
- Nennspannung:160 V
- Verpackung/ Koffer:PL95A1
- Frequenz:1.2GHz ~ 1.4GHz
- Nennstrom ( Ampere):-
- Gerätepaket des Lieferanten:PL95A1
- Leistung - Ausgang:650W
- Transistortyp:HEMT
- Gewinnen:15dB
- Spannung - Prüfung:50 V
- Rauschzahl:-
- Aktuell - Test:200 mA
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0075
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IGN1214L500B bereitgestellt von Integra Technologies
Integra Technologies entwickelt und fertigt die fortschrittlichsten HF-Leistungslösungen für die leistungsstärksten Radarsysteme der Welt. Zu unseren Produkten gehören HF-Leistungstransistoren GaN, HF-Leistungstransistoren Silizium, 50-Ohm-HF-Leistungstransistoren, HF-Leistungsverstärkerpaletten usw. Wir konzentrieren uns auf Hochleistungsmärkte und bieten serienmäßige, halbkundenspezifische und kundenspezifische Lösungen für Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsradare, Flugsicherung, Wetterradare, Avionik, Datenverbindungen, elektronische Kriegsführung sowie medizinische und industrielle Anwendungen. Wir unterstützen nicht nur Ihre aktuellen Radarsystemanwendungen von UHF bis X-Band mit einer vollständigen Auswahl der fortschrittlichsten vorab abgestimmten und vollständig abgestimmten Hochleistungs-HF-Leistungstransistoren und integrierten HF-Leistungsverstärkermodule, sondern wir unterstützen auch Ihre Legacy-Programme und kundenspezifischen Designanforderungen.
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