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IXYS IXGN80N60A2
IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
Hersteller Modell :IXGN80N60A2
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXGN80N60A2-DS
Dokument :
IXGN80N60A2 Dokument
IXGN80N60A2 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
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IXGN80N60A2 Informationen
IXYS IXGN80N60A2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- パワー - 最大:625 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
- 構成:Single
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):160 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:25 µA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.35V @ 15V, 80A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:-
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXGN80N60A2 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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