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IXYS MIXA10WB1200TED

IGBT MODULE 1200V 17A 60W E2
part number has RoHS
Hersteller Modell :MIXA10WB1200TED
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MIXA10WB1200TED-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MODULE 1200V 17A 60W E2
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
100+$ 101.6280$ 10162.8
204+$ 94.8510$ 19349.6
Auf Lager: 1704
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Waren ausliefern :
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MIXA10WB1200TED Informationen

  • IXYS MIXA10WB1200TED technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:E2
  • Leistung – Max:60 W
  • Gerätepaket des Lieferanten:E2
  • Konfiguration:Three Phase Inverter with Brake
  • Eingang:Three Phase Bridge Rectifier
  • Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):17 A
  • Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):1200 V
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.):700 µA
  • I G B T- Typ:PT
  • Vce(ein) ( Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 9A
  • Eingangskapazität ( Cies) @ Vce:-
  • N T C- Thermistor:Yes
  • EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.29.0095
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MIXA10WB1200TED bereitgestellt von IXYS
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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