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IXYS MIXA81H1200EH
IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3
Hersteller Modell :MIXA81H1200EH
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MIXA81H1200EH-DS
Dokument :
MIXA81H1200EH Dokument
MIXA81H1200EH DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3
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MIXA81H1200EH Informationen
IXYS MIXA81H1200EH technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E3
- パワー - 最大:390 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:E3
- 構成:Full Bridge Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):120 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:200 µA
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.2V @ 15V, 77A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:-
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MIXA81H1200EH bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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