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IXYS MWI100-06A8
IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Hersteller Modell :MWI100-06A8
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MWI100-06A8-DS
Dokument :
MWI100-06A8 Dokument
MWI100-06A8 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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MWI100-06A8 Informationen
IXYS MWI100-06A8 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E3
- パワー - 最大:410 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:E3
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):130 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1.2 mA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 100A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:4.3 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MWI100-06A8 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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