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GeneSiC Semiconductor 1N1199AR
Hersteller Modell :1N1199AR
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :1N1199AR-DS
Dokument : 1N1199AR Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
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1N1199AR Informationen
GeneSiC Semiconductor 1N1199AR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Produktstatus:Active
- Montagetyp:Chassis, Stud Mount
- Verpackung/ Koffer:DO-203AA, DO-4, Stud
- Gerätepaket des Lieferanten:DO-4
- Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Diodentyp:Standard, Reverse Polarity
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):12A
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 12 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 50 V
- Kapazität @ Vr, F:-
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):50 V
- Sperrverzögerungszeit (trr):-
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-65°C ~ 200°C
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N1199AR bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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