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GeneSiC Semiconductor 1N1204AR

DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
part number has RoHS
Hersteller Modell :1N1204AR
Dasenic Modell :1N1204AR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 5.6970$ 5.7
10+$ 4.5810$ 45.81
25+$ 4.2030$ 105.08
100+$ 3.6900$ 369
250+$ 3.3840$ 846
Auf Lager: 1531
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 5.697
Gesamt :$ 5.70
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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1N1204AR Informationen

  • GeneSiC Semiconductor 1N1204AR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis, Stud Mount
  • Verpackung/ Koffer:DO-203AA, DO-4, Stud
  • Gerätepaket des Lieferanten:DO-4
  • Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Standard, Reverse Polarity
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):12A
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 12 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 50 V
  • Kapazität @ Vr, F:-
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):400 V
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-65°C ~ 200°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N1204AR bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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