Rückmeldung
日本語

Die Bilder dienen nur als Referenz.

Aktie

1 : $0.7290

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor KBU6K

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
part number has RoHS
Hersteller Modell :KBU6K
Dasenic Modell :KBU6K-DS
Dokument :pdf download KBU6K Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 0.7290$ 0.73
5+$ 0.4734$ 2.37
25+$ 0.3735$ 9.34
100+$ 0.3393$ 33.93
400+$ 0.3168$ 126.72
Auf Lager: 4734
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.729
Gesamt :$ 0.73
Waren ausliefern :
dhlupsfedex
Zahlung :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

KBU6K Informationen

  • GeneSiC Semiconductor KBU6K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:4-SIP, KBU
  • テクノロジー:Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ:KBU
  • ダイオードタイプ:Single Phase
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):800 V
  • 電流 - 平均整流 ( Io):6 A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1 V @ 6 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 800 V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
KBU6K bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Verwandte Produkte

Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.

  • RFQ