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Rochester Electronics BSM25GD120DN2BOSA1
IGBT MOD 1200V 35A 200W
Hersteller Modell :BSM25GD120DN2BOSA1
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :BSM25GD120DN2BOSA1-DS
Dokument :
BSM25GD120DN2BOSA1 Dokument
BSM25GD120DN2BOSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MOD 1200V 35A 200W
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BSM25GD120DN2BOSA1 Informationen
Rochester Electronics BSM25GD120DN2BOSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:200 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Full Bridge
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):35 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:800 µA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 25A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:1.65 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BSM25GD120DN2BOSA1 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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