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Rochester Electronics DF200R12PT4B6BOSA1
Hersteller Modell :DF200R12PT4B6BOSA1
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :DF200R12PT4B6BOSA1-DS
Dokument : DF200R12PT4B6BOSA1 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MOD 1200V 300A 1100W
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DF200R12PT4B6BOSA1 Informationen
Rochester Electronics DF200R12PT4B6BOSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:1100 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):300 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):15 µA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 200A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:12.5 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DF200R12PT4B6BOSA1 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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