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  • SemiQ GSID600A120S4B1

    IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :GSID600A120S4B1
  • Hersteller :SemiQ
  • Dasenic Modell :GSID600A120S4B1-DS
  • Dokument :pdf download GSID600A120S4B1 Dokument
  • Beschreibung : IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
  • Verpackung :-
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SemiQ GSID600A120S4B1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:3060 W
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
構成:Half Bridge
入力:Standard
電流 - コレクター ( Ic) (最大):1130 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
電流 - コレクターカットオフ(最大):1 mA
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 600A
入力容量 ( Cies) @ Vce:51 nF @ 25 V
N T Cサーミスタ:Yes
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SemiQ GSID600A120S4B1
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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