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GeneSiC Semiconductor 1N1189
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
- Hersteller Modell :1N1189
- Hersteller :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Modell :1N1189-DS
- Dokument :
1N1189 Dokument
- Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
- Verpackung :-
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GeneSiC Semiconductor 1N1189 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis, Stud Mount
Verpackung/ Koffer:DO-203AB, DO-5, Stud
Gerätepaket des Lieferanten:DO-5
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Standard
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):35A
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.2 V @ 35 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 50 V
Kapazität @ Vr, F:-
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):600 V
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-65°C ~ 190°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor 1N1189
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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