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GeneSiC Semiconductor 1N1206A

Name: 1N1206A
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5828027
Price: 5.697 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Hersteller Modell :1N1206A

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :1N1206A-DS

Dokument :

1N1206A Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

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25+	$ 4.2030	$ 105.08
100+	$ 3.6900	$ 369
250+	$ 3.3840	$ 846

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1N1206A Informationen

GeneSiC Semiconductor 1N1206A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):12A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 12 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 50 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-65°C ~ 200°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
1N1206A,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

1N1206A bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。