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GeneSiC Semiconductor KBPC3502W
BRIDGE RECT 1P 200V 35A KBPC-W
- Hersteller Modell :KBPC3502W
- Hersteller :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Modell :KBPC3502W-DS
- Dokument :
KBPC3502W Dokument - Beschreibung : BRIDGE RECT 1P 200V 35A KBPC-W
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 1.269Gesamt : $ 1.27
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1 + | $ 1.2690 | $ 1.27 |
| 3 + | $ 1.1430 | $ 3.43 |
| 10 + | $ 1.0080 | $ 10.08 |
| 50 + | $ 0.9090 | $ 45.45 |
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GeneSiC Semiconductor KBPC3502W technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:4-Square, KBPC-W
Technologie:Standard
Gerätepaket des Lieferanten:KBPC-W
Diodentyp:Single Phase
Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):200 V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):35 A
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 17.5 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 µA @ 200 V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor KBPC3502W
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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