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Alliance Memory AS4C4M16SA-6BIN
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
- Hersteller Modell :AS4C4M16SA-6BIN
- Hersteller :Alliance Memory
- Dasenic Modell :AS4C4M16SA-6BIN-DS
- Dokument :
AS4C4M16SA-6BIN Dokument
- Beschreibung : IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
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Alliance Memory AS4C4M16SA-6BIN technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:54-TFBGA
Technologie:SDRAM
Gerätepaket des Lieferanten:54-TFBGA (8x8)
Speichergröße:64Mb (4M x 16)
Speichertyp:Volatile
Spannung - Versorgung:3V ~ 3.6V
Taktfrequenz:166 MHz
Zugriffszeit:5.4 ns
Gedächtnis- Format:DRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:2ns
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8542.32.0002
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Alliance Memory AS4C4M16SA-6BIN
Alliance Memory ist ein weltweiter Fabless-Hersteller von Speicherprodukten mit veralteter und neuer Technologie, die Pin-für-Pin-Drop-In-Ersatz für SRAM-, DRAM- und NOR-FLASH-ICs von Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix und anderen sind. Unser Ziel ist es, langfristige Beziehungen zu Kunden aufzubauen und langfristigen Support für die von uns hergestellten Teile zu bieten. Wir liefern die meisten unserer SRAM-, DRAM- und FLASH-Produkte direkt ab Lager, wobei die Lagerbestände in den USA, Shanghai und Taiwan gelagert werden. Unsere wettbewerbsfähigen Preise, schnelle Musterbearbeitung und unser erstklassiger Kundendienst und Support haben Alliance Memory zu einer vertrauenswürdigen Quelle für eine wachsende Palette unverzichtbarer Speicher-ICs für die Kommunikations-, Computer-, Embedded-, IoT-, Industrie- und Verbrauchermärkte gemacht. Alliance Memory, Inc. ist ein privates Unternehmen mit Hauptsitz in Washington, USA.
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