Rückmeldung
日本語

Die Bilder dienen nur als Referenz.

Aktie

1 : $1.5390

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN

IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
part number has RoHS
Hersteller Modell :AS4C4M16SA-6TIN
Hersteller :Alliance Memory
Dasenic Modell :AS4C4M16SA-6TIN-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 1.5390$ 1.54
100+$ 1.5390$ 153.9
250+$ 1.5390$ 384.75
500+$ 1.5390$ 769.5
1000+$ 1.5390$ 1539
Auf Lager: 9600
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 1.539
Gesamt :$ 1.54
Waren ausliefern :
dhlupsfedex
Zahlung :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

AS4C4M16SA-6TIN Informationen

  • Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • テクノロジー:SDRAM
  • サプライヤーデバイスパッケージ:54-TSOP II
  • メモリサイズ:64Mb (4M x 16)
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
  • クロック周波数:166 MHz
  • アクセス時間:5.4 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:2ns
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.32.0002
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C4M16SA-6TIN bereitgestellt von Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
Alliance Memory Verwandte Produkte

Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.

  • RFQ