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CEL NE85633-T1B-A
Hersteller Modell :NE85633-T1B-A
Hersteller :CEL
Dasenic Modell :NE85633-T1B-A-DS
Dokument : NE85633-T1B-A Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
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NE85633-T1B-A Informationen
CEL NE85633-T1B-A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Produktstatus:Last Time Buy
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Leistung – Max:200mW
- Gerätepaket des Lieferanten:3-MINIMOLD
- Transistortyp:NPN
- Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):100mA
- Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):12V
- D C- Stromverstärkung (h F E) ( Min) @ Ic, Vce:50 @ 20mA, 10V
- Frequenz - Übergang:7GHz
- Rauschmaß (d B Typ @ f):1.1dB @ 1GHz
- Gewinnen:11.5dB
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:Vendor is not defined
- US-ECCN:Provided as per user requirements
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NE85633-T1B-A bereitgestellt von CEL
Wir helfen OEMs, neue Umsätze mit hohen Margen zu erzielen. Aufbauend auf über 60 Jahren Erfahrung in der drahtlosen Steuerung. California Eastern Laboratories (CEL) wurde 1959 gegründet und war eines der ersten amerikanischen Unternehmen, das japanische Technologie auf dem nordamerikanischen Markt einführte. Anders als andere Vertreter ausländischer Hersteller unterhält CEL ein umfangreiches Inventar im Inland, bietet technischen und Anwendungssupport, entwickelt inländische Marketing- und Verkaufsrichtlinien und legt die Preise fest. Die drahtlosen Lösungen von CEL sind speziell darauf ausgelegt, Produkt- und System-OEMs bei der Entwicklung von Produkten zu unterstützen, mit denen sie ihr Geschäft ausbauen können. Das Connectivity-Team lebt und atmet drahtlose Technologie. Connectivity ist in Nordamerika ansässig, um Kunden schnellen und praktischen Support bieten zu können.
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