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Central Semiconductor CP647-MJ11015-WN
TRANS PNP DARL 120V 30A DIE
Hersteller Modell :CP647-MJ11015-WN
Hersteller :Central Semiconductor
Dasenic Modell :CP647-MJ11015-WN-DS
Dokument :
CP647-MJ11015-WN Dokument
CP647-MJ11015-WN DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : TRANS PNP DARL 120V 30A DIE
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CP647-MJ11015-WN Informationen
Central Semiconductor CP647-MJ11015-WN technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- トランジスタタイプ:PNP - Darlington
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):120 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:4V @ 300mA, 30A
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1mA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:200 @ 30A, 5V
- 周波数 - 遷移:-
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0040
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CP647-MJ11015-WN bereitgestellt von Central Semiconductor
Central Semiconductor は、個別半導体に真剣に取り組んでいます。当社の事業は、製造するデバイス、製品の提供、提供するサービスにおいて、常に完璧さを追求することです。さまざまな用途に対応するため、当社の製品は表面実装、スルーホール、ベアダイで提供されています。当社は幅広い標準デバイスを製造していますが、カスタム、特殊、その他のニッチな製品やサービスにも優れています。お客様の声に耳を傾け、業界の変化を監視しながら、当社の製品設計チームは、常に変化するお客様の要件や業界のトレンドを満たす新製品の開発に取り組んでいます。
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