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EPC EPC2059
Hersteller Modell :EPC2059
Hersteller :EPC
Dasenic Modell :EPC2059-DS
Dokument : EPC2059 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS GAN 170V DIE .009OHM
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EPC2059 Informationen
EPC EPC2059 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-
- Montagetyp:-
- Verpackung/ Koffer:-
- Technologie:-
- Gerätepaket des Lieferanten:-
- Verlustleistung (max.):-
- F E T- Typ:-
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):-
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:-
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
- Vgs(th) ( Max) @ Id:-
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):-
- Vgs (max.):-
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EPC2059 bereitgestellt von EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) ist ein hochmodernes Technologieunternehmen, das sich der Weiterentwicklung des Bereichs der Leistungselektronik durch die Entwicklung und Vermarktung von Leistungsgeräten auf Galliumnitrid-Basis (GaN) verschrieben hat. EPC wurde 2007 von einem Team aus Experten für Leistungselektronik, Halbleiter und Unternehmensführung gegründet. Seit seiner Gründung hat sich EPC zu einem anerkannten Branchenführer entwickelt und bietet ein breites Portfolio an handelsüblichen Leistungstransistoren und integrierten Schaltkreisen auf GaN-Basis. Seit 2009 wurde die Produktlinie des Unternehmens schnell erweitert und umfasst nun eine wachsende Familie von integrierten Schaltkreisen, für die Automobilindustrie qualifizierten Geräten und strahlungsfesten Geräten. Unsere Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von Unterhaltungselektronik und Automobil bis hin zu erneuerbaren Energien und Raumfahrt. Heute arbeiten führende Unternehmen auf der ganzen Welt mit EPC zusammen, um ihre Technologien der nächsten Generation mit der Leistung von GaN auszustatten.
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