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GaNPower GPI65005DF

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MOQ: 1
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  • Hersteller Modell :GPI65005DF
  • Hersteller :GaNPower
  • Dasenic Modell :GPI65005DF-DS
  • Dokument : GPI65005DF Dokument PDF
  • Beschreibung : GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
  • Verpackung :-
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GaNPower GPI65005DF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:Die
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Gerätepaket des Lieferanten:Die
Verlustleistung (max.):-
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:5A
R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
Vgs(th) ( Max) @ Id:1.4V @ 1.75mA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:2.6 nC @ 6 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:45 pF @ 400 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):6V
Vgs (max.):+7.5V, -12V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65005DF bereitgestellt von GaNPower

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Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

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Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

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