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GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K

Name: G3R30MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: G3R30MT12K-DS
Price: 20.2770 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 3723

MOQ: 1

5 Preisstufen

Hersteller Modell :G3R30MT12K
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :G3R30MT12K-DS
Dokument : G3R30MT12K Dokument PDF
Beschreibung : SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Verpackung :-
Einzelpreis: $20.2770
Gesamt: $20.28

Menge	Einzelpreis	Speichern
1-1	$20.2770	-
2-10	$18.6300	8.1% Speichern
11-25	$18.0180	11.1% Speichern
26-100	$17.1181	15.6% Speichern
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GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Active

Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp:Through Hole

Verpackung/ Koffer:TO-247-4

Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)

Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4

Verlustleistung (max.):400W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:90A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:36mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th) ( Max) @ Id:2.69V @ 12mA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:155 nC @ 15 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:3901 pF @ 800 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):15V

Vgs (max.):±15V

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

REACH-Status:REACH is not affected

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G3R30MT12K bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.