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GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220

RF DIODE PIN 8000V
part number has RoHS
Hersteller Modell :GA01PNS80-220
Dasenic Modell :GA01PNS80-220-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : RF DIODE PIN 8000V
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Verpackung :-
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GA01PNS80-220 Informationen

  • GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - RF
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • パッケージ/ケース:Axial
  • サプライヤーデバイスパッケージ:-
  • 電流 - 最大:2 A
  • ダイオードタイプ:PIN - Single
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):8000V
  • 静電容量 @ Vr、 F:4pF @ 1000V, 1MHz
  • 抵抗 @ If、 F:-
  • 消費電力(最大):-
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GA01PNS80-220 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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