1 / 1

1 : $16.8750

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263

Name: GA05JT12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA05JT12-263-DS
Price: 16.8750 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 2830

MOQ: 1

2 Preisstufen

Hersteller Modell :GA05JT12-263
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GA05JT12-263-DS
Dokument : GA05JT12-263 Dokument PDF
Beschreibung : TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Verpackung :-
Einzelpreis: $16.8750
Gesamt: $16.88

Menge	Einzelpreis	Speichern
1-10	$16.8750	-
11-1250	$11.2500	33.3% Speichern

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Obsolete

Betriebstemperatur:175°C (TJ)

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7

Verlustleistung (max.):106W (Tc)

F E T- Typ:-

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:15A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:-

Vgs(th) ( Max) @ Id:-

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):-

Vgs (max.):-

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

REACH-Status:Vendor is not defined

US-ECCN:Provided as per user requirements

China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

GA05JT12-263 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.